중국 제3기 반도체 투자기금의 특징 및 시사점

중국은 반도체 산업의 발전을 위해 대규모 투자기금을 조성하고 있습니다.

2024년 5월 24일 발표된 제3기 반도체 투자기금은 그 규모와 기간이 확대되어 중장기적인 기술 개발 및 산업 경쟁력 강화를 목표로 하고 있습니다.

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이번 블로그 포스트에서는 제3기 반도체 투자기금의 주요 특징과 시사점을 다뤄보겠습니다.

배경

반도체 국산화 추진

중국은 2000년대 이후 글로벌 제조 중심지로 부상하면서 반도체 수입에 대한 의존도가 높아졌습니다. 이에 따라 반도체 국산화가 중요한 국가 전략으로 떠올랐습니다. 2014년, 중국 정부는 반도체를 국가 전략 산업으로 지정하고, 국가자본 투입을 강화하기 위해 반도체 투자기금을 조성했습니다​​.

 

반도체 시장 규모

중국의 반도체 시장 규모는 매년 증가하여 2021년에는 1,870억 달러에 달했지만, 자급률은 16.7%에 불과했습니다. 2025년까지 자급률을 70%로 목표하고 있으나, 2026년까지 자급률이 21.2%에 그칠 것으로 전망됩니다​​.

 

제3기 반도체 투자기금의 특징

투자 규모와 기간

제3기 반도체 투자기금의 자본금 규모는 3,440억 위안(한화 약 64조 원)으로, 앞선 1기와 2기 대비 크게 증가했습니다. 이 기금은 중장기 R&D 지원을 강화하고, 산업 경쟁력을 높이는 데 주력할 예정입니다. 투자기간은 총 15년(투자 10년, 회수 5년)으로 설정되었습니다​​.

 

인내자본 역할

제3기 반도체 투자기금은 인내자본의 역할을 강화하고자 국유은행을 대거 참여시켰습니다. 이로 인해 반도체 산업의 중장기 투자를 지속할 수 있는 안정적인 자금을 확보하게 되었습니다. 주요 참여 기관으로는 중국 재정부, 국가개발금융, 상하이궈셩그룹, 6대 국유은행 등이 있습니다​​.

 

투자 분야

제3기 반도체 투자기금은 AI 반도체, 고대역폭(HBM) 메모리 제조기술 확보에 중점을 둘 것입니다. 또한, 반도체 미세화 공정에 필요한 노광장비 및 재료의 국산화를 추진할 예정입니다. 이를 통해 미국의 대중 반도체 규제에 대응하고, 기술적 자립을 강화할 계획입니다​​.

 

평가 및 시사점

기술 경쟁력 강화

제3기 반도체 투자기금은 중국 반도체 산업의 기술 경쟁력을 강화하는 데 중요한 역할을 할 것입니다. 그러나 현재 중국은 장비, 재료, EDA 등의 분야에서 국제 경쟁력이 부족한 상황입니다. 따라서 장기적인 관점에서 이러한 분야에 대한 지속적인 투자가 필요합니다​​.

 

레거시 칩 생산능력 확대

중국은 레거시 칩 생산능력을 확대하여 국내 수요에 대응할 계획입니다. 이는 전기차, 태양광, 에너지저장시스템(ESS) 등의 분야에서 주로 사용되는 전력반도체의 국산화 비율을 높이는 데 기여할 것입니다. 또한, 레거시 칩 시장에서 가격경쟁이 심화될 가능성이 있습니다​​.

 

글로벌 반도체 시장 영향

제3기 반도체 투자기금의 출범은 글로벌 반도체 시장에도 큰 영향을 미칠 것입니다. 중국의 반도체 생산능력 확장은 글로벌 공급망에 변화를 가져올 수 있으며, 특히 레거시 칩 시장에서는 가격 하락 압력이 커질 것입니다. 이에 따라 글로벌 반도체 기업들은 중국의 전략에 대응하기 위한 새로운 전략을 마련해야 할 것입니다​​.

 

결론

중국의 제3기 반도체 투자기금은 중장기적인 기술 개발과 산업 경쟁력 강화를 목표로 하고 있습니다.

이 기금은 AI 반도체, 고대역폭 메모리 제조기술 확보 등 다양한 분야에 투자하여 반도체 국산화를 추진할 것입니다.

그러나 기술적 어려움과 글로벌 경쟁력 강화라는 과제가 여전히 남아있습니다.

앞으로도 중국의 반도체 산업 발전 동향을 주시하며, 이에 대응하는 전략을 마련해야 할 것입니다.